都說半導體制程微縮開始進入瓶頸期，不過在單晶硅難以繼續(xù)微縮的時候，人們開始尋求新的替代產品。碳納米管是替代硅的候選納米材料之一，而碳納米管晶體管的主要技術挑戰(zhàn)過去幾年已被陸續(xù)得到解決，有可能在不久的將來走到我們面前。北京大學的科學家開發(fā)出柵長5納米的碳納米管場效應晶體管，聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。
與傳統(tǒng)的硅基互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管相比，碳納米管晶體管的柵電容更小，與相同尺寸下的碳納米管開關速度要比硅基互補金屬氧化物晶體管快上很多。10納米碳納米管CMOS柵電容導致的延遲大約為70飛秒，僅為英特爾14納米硅基CMOS的三分之一。碳納米管電子產品有有可能在2022年取代硅基CMOS，成為重要的半導體產品。