Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:
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Ф4 inch X 6片 |
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基板尺寸 |
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< Ф3 inch X 8片 |
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樣品臺 |
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樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn) |
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離子源 |
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20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
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±5% for 8”Ф |
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硅片蝕刻率 |
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20 nm/min |
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溫度 |
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<100 |
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺. 如下圖：
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射頻 |
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離子束流 |
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>800 mA |
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離子動能 |
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100-1200 V |
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柵極直徑 |
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20 cm Φ |
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離子束 |
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聚焦 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通氣 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
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< 0.5m Torr |
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長度 |
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30 cm |
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直徑 |
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41 cm |
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中和器 |
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LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn)晶圓反應(yīng)面均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.
伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700 技術(shù)參數(shù):
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2707-Operating voltage: V DC |
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48 (± 5 %) V DC |
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Ar 的壓縮比 |
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> 1 · 1011 |
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Ar 的抽速 |
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665 l/s |
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Ar 的最終轉(zhuǎn)速時的氣體流量 |
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3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s |
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H2 的壓縮比 |
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4 · 105 |
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H2 的抽速 |
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555 l/s |
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H2 的最終轉(zhuǎn)速時的氣體流量 |
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> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s |
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He 的壓縮比 |
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3 · 107 |
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He 的抽速 |
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655 l/s |
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He 的最終轉(zhuǎn)速時的氣體流量 |
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10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s |
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I/O 接口 |
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RS-485, 遠(yuǎn)程, Profibus |
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N2 的壓縮比 |
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> 1 · 1011 |
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N2 的抽速 |
portant;">
685 l/s |
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N2 的最大預(yù)真空 |
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11 百帕 |
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N2 的最終轉(zhuǎn)速時的氣體流量 |
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6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s |
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不帶氣鎮(zhèn)的最終壓力 |
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1 · 10-7 百帕 |
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允許冷卻水的溫度 |
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15 – 35 °C 攝氏度 |
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冷卻水消耗最小值 |
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100 l/h |
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冷卻水耗量 |
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100 l/h |
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冷卻類型，可選項(xiàng) |
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空氣 |
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冷卻類型，標(biāo)準(zhǔn) |
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水 |
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聲壓水平 |
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≤50 dB(A) 分貝 (A) |
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安裝方向 |
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任何 |
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排氣連接 |
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G 1/8" |
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接口，擴(kuò)展 |
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Profibus |
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方位 |
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混合動力 |
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最大允許磁場 |
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6 mT |
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根據(jù) PNEUROP 的最終壓力 |
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< 1 · 10-7 百帕 |
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電子驅(qū)動單元 |
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帶有 TC 400 |
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電流最大值 |
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8,75 A |
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耗電量 max. |
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420 瓦 |
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轉(zhuǎn)速 ?± 2 % |
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49,200 rpm | 49,200 min-1 |
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轉(zhuǎn)速可變化 |
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60 – 100 % |
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運(yùn)行時間 |
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2 分 |
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連接法蘭（入口） |
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DN 160 ISO-F |
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連接法蘭（出口） |
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DN 25 ISO-KF/G ?" |
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重量 |
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12.1 千克 |
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防護(hù)等級 |
portant;">
IP54 |
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