AB變頻器驅動板FS300R12KE3/AGDR-82C S

IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247 TO3P等封裝。
IGBT模塊：即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模塊：集成整流橋+制動單元+三相逆變
IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。 
IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。IGBT基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。 

FS300R12KE3/AGDR-61C
FS450R12KE3/AGDR-61C
FS225R12KE3/AGDR-71C
FS225R12KE3/AGDR-61C
FS225R12KE3/AGDR-62C
FS225R12KE3/AGDR-72C
FS225R17KE3/AGDR-71C
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